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1.0a直流电机h桥驱动电路

该产品采用h桥电路结构设计,采用高可靠性功率管工艺,特别适合驱动线圈、马达等感性负载。电路内部集成n沟道和p沟道功率mosfet,工作电压范围覆盖8v到24v。27℃,vm=24v条件下esop8封装最大持续输出电流达到0.75a,最大峰值输出电流达到1.5a。

该单路为功率器件,本身具备一定内阻,电路的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境温度密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路,实时监控芯片内部发热,当芯片内部温度超过设定值时(典型值150℃),产生功率管关断信号,关闭负载电流,避免因异常使用导致的温度持续升高,进而造成塑料封装冒烟、起火等严重安全事故。芯片内置的温度迟滞电路,确保电路恢复到安全温度后,才允许重新对功率管进行控制。

该驱动电路内置限流保护电路。当流过功率管的电流超过设定值时,内部电路限流保护功能启动,功率管最大输出电流将被限制在设定值。该功能可确保电路输出端口与地、输出端口之间短路时,电路不被烧毁。


典型应用:直流风扇摇头电机驱动、航模电机驱动、监控设备步进电机驱动


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  • 低待机电流

  • 低导通内阻mosfet功率开关管

        采用mos工艺设计功率管

        12v供电500毫安通道功率管内阻2.9欧姆

  • 较小的输入电流

        集成约106k对地下拉电阻 

        5v驱动信号平均47ua输入电流

  • 内置带迟滞效应的过热保护电路(tsd)

  • 内置限流保护电路,输出对地短路,输出与输出短路,不烧电路

  • 抗静电等级:2kv(hbm)

  • 工作环境温度范围:-40~ 85℃

  • 封装形式:esop8


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